Svenska
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
Om oss | Kontakta oss | Begär ett citat |
Hem > Produkter > Diskreta halvledarprodukter > Transistorer - FET, MOSFET - Single > EPC8010
EPC8010
EPC8010
Artikelnummer:
EPC8010
Tillverkare:
EPC
Beskrivning:
TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE
Ledningsfri status / RoHS-status:
Blyfri / RoHS-kompatibel
tillgänglig kvantitet:
12325 Pieces
Datablad:
1.EPC8010.pdf2.EPC8010.pdf
Förfrågan

Introduktion

BYCHIPS är strumpfördelaren för EPC8010, vi har lager för omedelbar frakt och även tillgänglig för lång tid leverans. Vänligen skicka oss din köpplan för EPC8010 via e-post, vi ger dig det bästa priset enligt din plan.
köpa EPC8010 med BYCHPS
Köp med garanti

Specifikationer

Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):+6V, -4V
Teknologi:GaNFET (Gallium Nitride)
Leverantörs Device Package:Die
Serier:eGaN®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:160 mOhm @ 500mA, 5V
Effektdissipation (Max):-
Förpackning:Tape & Reel (TR)
Förpackning / fall:Die
Andra namn:917-1086-2
Driftstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp:Surface Mount
Fuktkänslighetsnivå (MSL):1 (Unlimited)
Tillverkarens normala ledtid:14 Weeks
Tillverkarens varunummer:EPC8010
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds:55pF @ 50V
Gate Laddning (Qg) (Max) @ Vgs:0.48nC @ 5V
FET-typ:N-Channel
FET-funktionen:-
Utvidgad beskrivning:N-Channel 100V 2.7A (Ta) Surface Mount Die
Drivspänning (Max Rds På, Min Rds På):5V
Avlopp till källspänning (Vdss):100V
Beskrivning:TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE
Ström - Kontinuerlig avlopp (Id) @ 25 ° C:2.7A (Ta)
Email:[email protected]

Snabbsökcitation

Artikelnummer
Kvantitet
Företag
E-post
Telefon
kommentarer

Relaterade delar till EPC8010

Bild Artikelnummer tillverkare Beskrivning Se
EPC8009 Image EPC8009 EPC TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE Förfrågan
EPC8009ENGR Image EPC8009ENGR EPC TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE Förfrågan
EPC8002ENGR Image EPC8002ENGR EPC TRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE Förfrågan
EPC8003ENGR Image EPC8003ENGR EPC TRANS GAN 100V 2.5A BUMPED DIE Förfrågan
EPC8010ENGR Image EPC8010ENGR EPC TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE Förfrågan
EPC8008ENGR Image EPC8008ENGR EPC TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE Förfrågan
FDD6760A Image FDD6760A Fairchild/ON Semiconductor MOSFET NCH 25V 27A DPAK Förfrågan
EPC8002 Image EPC8002 EPC TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE Förfrågan
NVMFS5C430NLT3G Image NVMFS5C430NLT3G ON Semiconductor MOSFET N-CH 40V 200A SO8FL Förfrågan
EPC8007ENGR Image EPC8007ENGR EPC TRANS GAN 40V 3.8A BUMPED DIE Förfrågan
EPC8004ENGR Image EPC8004ENGR EPC TRANS GAN 40V 4.4A BUMPED DIE Förfrågan
DMN3032LE-13 Image DMN3032LE-13 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT223 Förfrågan
TPH3206LD Image TPH3206LD Transphorm GAN FET 600V 17A PQFN88 Förfrågan
EPC8004 Image EPC8004 EPC TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE Förfrågan
IXFK30N100Q2 Image IXFK30N100Q2 IXYS MOSFET N-CH 1000V 30A TO-264 Förfrågan
FQD10N20LTF Image FQD10N20LTF Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK Förfrågan
EPC8005ENGR Image EPC8005ENGR EPC TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE Förfrågan
IRFR430APBF Image IRFR430APBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 500V 5A DPAK Förfrågan
NTD4806N-35G Image NTD4806N-35G ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 11A IPAK Förfrågan

Latest News