köpa JAN1N5417US med BYCHPS
Köp med garanti
JAN1N5417US
- Artikelnummer:
- JAN1N5417US
- Tillverkare:
- Microsemi
- Beskrivning:
- DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF
- Ledningsfri status / RoHS-status:
- Innehåller lednings- / RoHS-överensstämmelse
- tillgänglig kvantitet:
- 18210 Pieces
- Datablad:
- JAN1N5417US.pdf
Introduktion
BYCHIPS är strumpfördelaren för JAN1N5417US, vi har lager för omedelbar frakt och även tillgänglig för lång tid leverans. Vänligen skicka oss din köpplan för JAN1N5417US via e-post, vi ger dig det bästa priset enligt din plan.
Specifikationer
| Spänning - Framåt (Vf) (Max) @ Om: | 1.5V @ 9A |
|---|---|
| Spänning - DC-omvänd (Vr) (Max): | 200V |
| Leverantörs Device Package: | B, SQ-MELF |
| Fart: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serier: | Military, MIL-PRF-19500/411 |
| Omvänd återställningstid (trr): | 150ns |
| Förpackning: | Bulk |
| Förpackning / fall: | SQ-MELF, B |
| Andra namn: | 1086-2089 1086-2089-MIL |
| Driftstemperatur - korsning: | -65°C ~ 175°C |
| Monteringstyp: | Surface Mount |
| Fuktkänslighetsnivå (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tillverkarens normala ledtid: | 8 Weeks |
| Tillverkarens varunummer: | JAN1N5417US |
| Utvidgad beskrivning: | Diode Standard 200V 3A Surface Mount B, SQ-MELF |
| Diodtyp: | Standard |
| Beskrivning: | DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF |
| Ström - Omvänd läckage @ Vr: | 1µA @ 200V |
| Nuvarande - Genomsnittlig Rectified (Io): | 3A |
| Kapacitans @ Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
Relaterade delar till JAN1N5417US
| Bild | Artikelnummer | tillverkare | Beskrivning | Se |
|---|---|---|---|---|
 |
JAN1N5417 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL | Förfrågan |
 |
JAN1N5420US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 3A D5B | Förfrågan |
|
JAN1N5415 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL | Förfrågan |
 |
JAN1N5416 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL | Förfrågan |
|
JAN1N5415US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL | Förfrågan |
|
JAN1N5416US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL | Förfrågan |
 |
JAN1N5420 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL | Förfrågan |
 |
JAN1N5419 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 500V 3A AXIAL | Förfrågan |
|
JAN1N5419US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 500V 3A D5B | Förfrågan |
|
JAN1N5418 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL | Förfrågan |
|
JAN1N5418US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 3A D5B | Förfrågan |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog