köpa TPH3205WSB med BYCHPS
Köp med garanti
TPH3205WSB
- Artikelnummer:
- TPH3205WSB
- Tillverkare:
- Transphorm
- Beskrivning:
- GAN FET 650V 36A TO247
- Ledningsfri status / RoHS-status:
- Blyfri / RoHS-kompatibel
- tillgänglig kvantitet:
- 17723 Pieces
- Datablad:
- TPH3205WSB.pdf
Introduktion
BYCHIPS är strumpfördelaren för TPH3205WSB, vi har lager för omedelbar frakt och även tillgänglig för lång tid leverans. Vänligen skicka oss din köpplan för TPH3205WSB via e-post, vi ger dig det bästa priset enligt din plan.
Specifikationer
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.6V @ 700µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±18V |
| Teknologi: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Leverantörs Device Package: | TO-247 |
| Serier: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 60 mOhm @ 22A, 8V |
| Effektdissipation (Max): | 125W (Tc) |
| Förpackning: | Tube |
| Förpackning / fall: | TO-247-3 |
| Driftstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Monteringstyp: | Through Hole |
| Fuktkänslighetsnivå (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tillverkarens normala ledtid: | 10 Weeks |
| Tillverkarens varunummer: | TPH3205WSB |
| Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 2200pF @ 400V |
| Gate Laddning (Qg) (Max) @ Vgs: | 42nC @ 8V |
| FET-typ: | N-Channel |
| FET-funktionen: | - |
| Utvidgad beskrivning: | N-Channel 650V 36A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-247 |
| Drivspänning (Max Rds På, Min Rds På): | - |
| Avlopp till källspänning (Vdss): | 650V |
| Beskrivning: | GAN FET 650V 36A TO247 |
| Ström - Kontinuerlig avlopp (Id) @ 25 ° C: | 36A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Relaterade delar till TPH3205WSB
| Bild | Artikelnummer | tillverkare | Beskrivning | Se |
|---|---|---|---|---|
 |
TPH3208LD | Transphorm | GAN FET 650V 20A PQFN88 | Förfrågan |
 |
TPH3206PS | Transphorm | GAN FET 600V 17A TO220 | Förfrågan |
 |
TPH3206PSB | Transphorm | GAN FET 650V 16A TO220 | Förfrågan |
|
TPH3205WSBQA | Transphorm | GAN FET 650V 35A TO247 | Förfrågan |
|
TPH3206LSB | Transphorm | GAN FET 650V 16A PQFN88 | Förfrågan |
 |
TPH3208LS | Transphorm | GAN FET 650V 20A PQFN88 | Förfrågan |
|
TPH3202PS | Transphorm | GAN FET 600V 9A TO220 | Förfrågan |
|
TPH3202PD | Transphorm | GAN FET 600V 9A TO220 | Förfrågan |
 |
TPH3208LDG | Transphorm | GAN FET 650V 20A PQFN88 | Förfrågan |
 |
TPH3207WS | Transphorm | GAN FET 650V 50A TO247 | Förfrågan |
|
TPH3206PD | Transphorm | GAN FET 600V 17A TO220 | Förfrågan |
|
TPH3202LS | Transphorm | GAN FET 600V 9A PQFN88 | Förfrågan |
|
TPH3202LD | Transphorm | GAN FET 600V 9A PQFN88 | Förfrågan |
|
TPH3206LDB | Transphorm | GAN FET 650V 16A PQFN88 | Förfrågan |
|
TPH3206LS | Transphorm | GAN FET 600V 17A PQFN88 | Förfrågan |
|
TPH3206LD | Transphorm | GAN FET 600V 17A PQFN88 | Förfrågan |
|
TPH3206LDGB | Transphorm | GAN FET 650V 16A PQFN88 | Förfrågan |
|
TPH3208PS | Transphorm | GAN FET 650V 20A TO220 | Förfrågan |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog