1N8035-GA
1N8035-GA
Artikelnummer:
1N8035-GA
Tillverkare:
GeneSiC Semiconductor
Beskrivning:
DIODE SCHOTTKY 650V 14.6A TO276
Ledningsfri status / RoHS-status:
Innehåller lednings- / RoHS-överensstämmelse
tillgänglig kvantitet:
16826 Pieces
Datablad:
1N8035-GA.pdf

Introduktion

BYCHIPS är strumpfördelaren för 1N8035-GA, vi har lager för omedelbar frakt och även tillgänglig för lång tid leverans. Vänligen skicka oss din köpplan för 1N8035-GA via e-post, vi ger dig det bästa priset enligt din plan.
köpa 1N8035-GA med BYCHPS
Köp med garanti

Specifikationer

Spänning - Framåt (Vf) (Max) @ Om:1.5V @ 15A
Spänning - DC-omvänd (Vr) (Max):650V
Leverantörs Device Package:TO-276
Fart:No Recovery Time > 500mA (Io)
Serier:-
Omvänd återställningstid (trr):0ns
Förpackning:Tube
Förpackning / fall:TO-276AA
Andra namn:1242-1122
1N8035GA
Driftstemperatur - korsning:-55°C ~ 250°C
Monteringstyp:Surface Mount
Fuktkänslighetsnivå (MSL):1 (Unlimited)
Tillverkarens normala ledtid:18 Weeks
Tillverkarens varunummer:1N8035-GA
Utvidgad beskrivning:Diode Silicon Carbide Schottky 650V 14.6A (DC) Surface Mount TO-276
Diodtyp:Silicon Carbide Schottky
Beskrivning:DIODE SCHOTTKY 650V 14.6A TO276
Ström - Omvänd läckage @ Vr:5µA @ 650V
Nuvarande - Genomsnittlig Rectified (Io):14.6A (DC)
Kapacitans @ Vr, F:1107pF @ 1V, 1MHz
Email:[email protected]

Snabbsökcitation

Artikelnummer
Kvantitet
Företag
E-post
Telefon
kommentarer