köpa A2I08H040GNR1 med BYCHPS
Köp med garanti
A2I08H040GNR1
- Artikelnummer:
- A2I08H040GNR1
- Tillverkare:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Beskrivning:
- IC RF LDMOS AMP
- Ledningsfri status / RoHS-status:
- Blyfri / RoHS-kompatibel
- tillgänglig kvantitet:
- 18222 Pieces
- Datablad:
- A2I08H040GNR1.pdf
Introduktion
BYCHIPS är strumpfördelaren för A2I08H040GNR1, vi har lager för omedelbar frakt och även tillgänglig för lång tid leverans. Vänligen skicka oss din köpplan för A2I08H040GNR1 via e-post, vi ger dig det bästa priset enligt din plan.
Specifikationer
| Spänning - Test: | 28V |
|---|---|
| Spänningsvärde: | 65V |
| Transistortyp: | LDMOS (Dual) |
| Leverantörs Device Package: | TO-270WBG-15 |
| Serier: | - |
| Uteffekt: | 9W |
| Förpackning: | Tape & Reel (TR) |
| Förpackning / fall: | TO-270-15 Variant, Gull Wing |
| Andra namn: | 935320823528 |
| Bullerbild: | - |
| Fuktkänslighetsnivå (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tillverkarens normala ledtid: | 10 Weeks |
| Tillverkarens varunummer: | A2I08H040GNR1 |
| Få: | 30.7dB |
| Frekvens: | 920MHz |
| Utvidgad beskrivning: | RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 25mA 920MHz 30.7dB 9W TO-270WBG-15 |
| Beskrivning: | IC RF LDMOS AMP |
| Nuvarande omdöme: | - |
| Nuvarande - Test: | 25mA |
| Email: | [email protected] |
Relaterade delar till A2I08H040GNR1
| Bild | Artikelnummer | tillverkare | Beskrivning | Se |
|---|---|---|---|---|
 |
PTFB193408SVV1XWSA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS H-34275G-6/2 | Förfrågan |
 |
BLF2425M7L250P,118 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 15DB SOT539A | Förfrågan |
 |
BLF878,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 89V 21DB SOT979A | Förfrågan |
 |
BLF6G27-135,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V SOT502A | Förfrågan |
 |
NE3514S02-T1C-A | CEL | HJ-FET NCH 10DB S02 | Förfrågan |
 |
A2I08H040NR1 | NXP USA Inc. | IC RF LDMOS AMP | Förfrågan |
 |
MRF6V13250HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 120V 1.3GHZ NI780S | Förfrågan |
|
MRF9045LSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 945MHZ NI-360S | Förfrågan |
|
PTRA093302DC V1 R250 | Infineon Technologies | IC RF FET LDMOS 330W H-49248H-4 | Förfrågan |
 |
NE3515S02-T1D-A | CEL | FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 | Förfrågan |
|
PTFC270051MV2R1KXUMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS | Förfrågan |
 |
BLF647P,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1121A | Förfrågan |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog