köpa BSS670S2L H6327 med BYCHPS
Köp med garanti
BSS670S2L H6327
- Artikelnummer:
- BSS670S2L H6327
- Tillverkare:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Beskrivning:
- MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23
- Ledningsfri status / RoHS-status:
- Blyfri / RoHS-kompatibel
- tillgänglig kvantitet:
- 15892 Pieces
- Datablad:
- BSS670S2L H6327.pdf
Introduktion
BYCHIPS är strumpfördelaren för BSS670S2L H6327, vi har lager för omedelbar frakt och även tillgänglig för lång tid leverans. Vänligen skicka oss din köpplan för BSS670S2L H6327 via e-post, vi ger dig det bästa priset enligt din plan.
Specifikationer
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2V @ 2.7µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Leverantörs Device Package: | PG-SOT23-3 |
| Serier: | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 650 mOhm @ 270mA, 10V |
| Effektdissipation (Max): | 360mW (Ta) |
| Förpackning: | Original-Reel® |
| Förpackning / fall: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Andra namn: | BSS670S2L H6327DKR |
| Driftstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Monteringstyp: | Surface Mount |
| Fuktkänslighetsnivå (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tillverkarens normala ledtid: | 10 Weeks |
| Tillverkarens varunummer: | BSS670S2L H6327 |
| Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 75pF @ 25V |
| Gate Laddning (Qg) (Max) @ Vgs: | 2.26nC @ 10V |
| FET-typ: | N-Channel |
| FET-funktionen: | - |
| Utvidgad beskrivning: | N-Channel 55V 540mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23-3 |
| Drivspänning (Max Rds På, Min Rds På): | 4.5V, 10V |
| Avlopp till källspänning (Vdss): | 55V |
| Beskrivning: | MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23 |
| Ström - Kontinuerlig avlopp (Id) @ 25 ° C: | 540mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Relaterade delar till BSS670S2L H6327
| Bild | Artikelnummer | tillverkare | Beskrivning | Se |
|---|---|---|---|---|
 |
BSS670S2LL6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 540MA SOT-23 | Förfrågan |
|
BSS670S2L | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 540MA SOT-23 | Förfrågan |
 |
2SK2544(F) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 600V 6A TO-220AB | Förfrågan |
|
BSS670S2LH6433XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23 | Förfrågan |
 |
NVD5C688NLT4G | ON Semiconductor | T6 60V LL DPAK | Förfrågan |
 |
HUFA76443S3ST | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK | Förfrågan |
 |
IPB03N03LB G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A TO-263 | Förfrågan |
 |
TK10V60W,LVQ | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 600V 9.7A 5DFN | Förfrågan |
 |
PH6530AL,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 30V LFPAK | Förfrågan |
 |
PHW80NQ10T,127 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 80A SOT429 | Förfrågan |
 |
SI5432DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 6A 1206-8 | Förfrågan |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog