köpa C3M0120100K med BYCHPS
Köp med garanti
Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 3mA |
---|---|
Vgs (Max): | ±15V |
Teknologi: | SiCFET (Silicon Carbide) |
Serier: | C3M™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 170 mOhm @ 15A, 15V |
Effektdissipation (Max): | 83W (Tc) |
Förpackning: | Tube |
Förpackning / fall: | 4-SIP |
Driftstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Monteringstyp: | Through Hole |
Fuktkänslighetsnivå (MSL): | 1 (Unlimited) |
Tillverkarens varunummer: | C3M0120100K |
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 350pF @ 600V |
Gate Laddning (Qg) (Max) @ Vgs: | 21.5nC @ 15V |
FET-typ: | N-Channel |
FET-funktionen: | - |
Utvidgad beskrivning: | N-Channel 1000V (1kV) 22A 83W (Tc) Through Hole |
Drivspänning (Max Rds På, Min Rds På): | 15V |
Avlopp till källspänning (Vdss): | 1000V (1kV) |
Beskrivning: | 1000V, 120 MOHM, G3 SIC MOSFET |
Ström - Kontinuerlig avlopp (Id) @ 25 ° C: | 22A |
Email: | [email protected] |