köpa DMN10H170SVTQ-13 med BYCHPS
Köp med garanti
DMN10H170SVTQ-13
- Artikelnummer:
- DMN10H170SVTQ-13
- Tillverkare:
- Diodes Incorporated
- Beskrivning:
- MOSFET N-CH 100V TSOT26
- Ledningsfri status / RoHS-status:
- Blyfri / RoHS-kompatibel
- tillgänglig kvantitet:
- 12777 Pieces
- Datablad:
- DMN10H170SVTQ-13.pdf
Introduktion
BYCHIPS är strumpfördelaren för DMN10H170SVTQ-13, vi har lager för omedelbar frakt och även tillgänglig för lång tid leverans. Vänligen skicka oss din köpplan för DMN10H170SVTQ-13 via e-post, vi ger dig det bästa priset enligt din plan.
Specifikationer
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3V @ 250µA |
|---|---|
| Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Leverantörs Device Package: | TSOT-26 |
| Serier: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 160 mOhm @ 5A, 10V |
| Effektdissipation (Max): | 1.2W (Ta) |
| Förpackning: | Tape & Reel (TR) |
| Förpackning / fall: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Driftstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Monteringstyp: | Surface Mount |
| Fuktkänslighetsnivå (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tillverkarens normala ledtid: | 8 Weeks |
| Tillverkarens varunummer: | DMN10H170SVTQ-13 |
| Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 1167pF @ 25V |
| Gate Laddning (Qg) (Max) @ Vgs: | 9.7nC @ 10V |
| FET-typ: | N-Channel |
| FET-funktionen: | - |
| Utvidgad beskrivning: | N-Channel 100V 2.6A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount TSOT-26 |
| Avlopp till källspänning (Vdss): | 100V |
| Beskrivning: | MOSFET N-CH 100V TSOT26 |
| Ström - Kontinuerlig avlopp (Id) @ 25 ° C: | 2.6A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Relaterade delar till DMN10H170SVTQ-13
| Bild | Artikelnummer | tillverkare | Beskrivning | Se |
|---|---|---|---|---|
 |
DMN10H170SVTQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26 | Förfrågan |
 |
DMN10H170SK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 12A TO252 | Förfrågan |
 |
DMN10H120SFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI | Förfrågan |
 |
DMN10H170SFDE-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN | Förfrågan |
|
DMN10H170SFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI | Förfrågan |
|
DMN10H170SFDE-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN | Förfrågan |
|
DMN10H170SVT-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26 | Förfrågan |
|
DMN10H170SFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI | Förfrågan |
|
DMN10H170SVT-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26 | Förfrågan |
 |
DMN10H120SE-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 3.6A SOT223 | Förfrågan |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog