köpa DMT10H014LSS-13 med BYCHPS
Köp med garanti
DMT10H014LSS-13
- Artikelnummer:
- DMT10H014LSS-13
- Tillverkare:
- Diodes Incorporated
- Beskrivning:
- MOSFET NCH 100V 8.9A 8SO
- Ledningsfri status / RoHS-status:
- Blyfri / RoHS-kompatibel
- tillgänglig kvantitet:
- 13088 Pieces
- Datablad:
- DMT10H014LSS-13.pdf
Introduktion
BYCHIPS är strumpfördelaren för DMT10H014LSS-13, vi har lager för omedelbar frakt och även tillgänglig för lång tid leverans. Vänligen skicka oss din köpplan för DMT10H014LSS-13 via e-post, vi ger dig det bästa priset enligt din plan.
Specifikationer
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3V @ 250µA |
|---|---|
| Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Leverantörs Device Package: | 8-SO |
| Serier: | Automotive, AEC-Q101 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 15 mOhm @ 20A, 10V |
| Effektdissipation (Max): | 1.2W (Ta) |
| Förpackning: | Tape & Reel (TR) |
| Förpackning / fall: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Driftstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Monteringstyp: | Surface Mount |
| Fuktkänslighetsnivå (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tillverkarens normala ledtid: | 16 Weeks |
| Tillverkarens varunummer: | DMT10H014LSS-13 |
| Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 1871pF @ 50V |
| Gate Laddning (Qg) (Max) @ Vgs: | 33.3nC @ 10V |
| FET-typ: | N-Channel |
| FET-funktionen: | - |
| Utvidgad beskrivning: | N-Channel 100V 8.9A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount 8-SO |
| Avlopp till källspänning (Vdss): | 100V |
| Beskrivning: | MOSFET NCH 100V 8.9A 8SO |
| Ström - Kontinuerlig avlopp (Id) @ 25 ° C: | 8.9A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Relaterade delar till DMT10H014LSS-13
| Bild | Artikelnummer | tillverkare | Beskrivning | Se |
|---|---|---|---|---|
 |
DMT10H015LFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 10A | Förfrågan |
 |
DMT10H010LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252-3 | Förfrågan |
|
DMT10H015LCG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN | Förfrågan |
 |
DMT10H015LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 7.3A | Förfrågan |
|
DMT10H015LFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 10A | Förfrågan |
|
DMT10H010LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 9.4A | Förfrågan |
|
DMT10H010LCT | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V TO220AB | Förfrågan |
|
DMT10H015LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 61V 100V TO252 T&R | Förfrågan |
 |
DMT10H010LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V SO-8 | Förfrågan |
|
DMT10H015LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 8.3A | Förfrågan |
|
DMT10H015LCG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN | Förfrågan |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog