EMF22T2R - Rohm Semiconductor - Transistorer - Bipolär (BJT) - Arrays, Pre-Biased EMF22T2R

EMF22T2R

Artikelnummer:: EMF22T2R

Tillverkare:: LAPIS Semiconductor

Beskrivning:: TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W EMT6

Ledningsfri status / RoHS-status:: Blyfri / RoHS-kompatibel

tillgänglig kvantitet:: 17268 Pieces

Datablad:: EMF22T2R.pdf

Förfrågan

Introduktion

BYCHIPS är strumpfördelaren för EMF22T2R, vi har lager för omedelbar frakt och även tillgänglig för lång tid leverans. Vänligen skicka oss din köpplan för EMF22T2R via e-post, vi ger dig det bästa priset enligt din plan.

köpa EMF22T2R med BYCHPS

Köp med garanti

Specifikationer

Spänning - Samlare Emitter Breakdown (Max):	50V, 12V
Vce Mättnad (Max) @ Ib, Ic:	300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
Transistortyp:	1 NPN Pre-Biased, 1 NPN
Leverantörs Device Package:	EMT6
Serier:	-
Motstånd - Emitter Base (R2) (Ohms):	10k
Motstånd - Base (R1) (Ohms):	10k
Effekt - Max:	150mW
Förpackning:	Tape & Reel (TR)
Förpackning / fall:	SOT-563, SOT-666
Monteringstyp:	Surface Mount
Fuktkänslighetsnivå (MSL):	1 (Unlimited)
Tillverkarens varunummer:	EMF22T2R
Frekvens - Övergång:	250MHz, 320MHz
Utvidgad beskrivning:	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN 50V, 12V 100mA, 500mA 250MHz, 320MHz 150mW Surface Mount EMT6
Beskrivning:	TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W EMT6
Likströmsstigning (hFE) (Min) @ Ic, Vce:	30 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V
Nuvarande - Collector Cutoff (Max):	500nA
Nuvarande - Samlare (Ic) (Max):	100mA, 500mA
Email:	[email protected]

Relaterade delar till EMF22T2R

Artikelnummer	tillverkare	Beskrivning	Se
RN1908FE(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6	Förfrågan
UP0411200L	Panasonic Electronic Components	TRANS PREBIAS DUAL PNP SSMINI6	Förfrågan
PQMD12Z	Nexperia USA Inc.	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.35W 6DFN	Förfrågan
EMH6T2R	Rohm Semiconductor	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6	Förfrågan

Introduktion

Specifikationer

Snabbsökcitation

Latest News