köpa FQI13N06LTU med BYCHPS
Köp med garanti
Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
---|---|
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverantörs Device Package: | I2PAK |
Serier: | QFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 110 mOhm @ 6.8A, 10V |
Effektdissipation (Max): | 3.75W (Ta), 45W (Tc) |
Förpackning: | Tube |
Förpackning / fall: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Driftstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Monteringstyp: | Through Hole |
Fuktkänslighetsnivå (MSL): | 1 (Unlimited) |
Tillverkarens varunummer: | FQI13N06LTU |
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 350pF @ 25V |
Gate Laddning (Qg) (Max) @ Vgs: | 6.4nC @ 5V |
FET-typ: | N-Channel |
FET-funktionen: | - |
Utvidgad beskrivning: | N-Channel 60V 13.6A (Tc) 3.75W (Ta), 45W (Tc) Through Hole I2PAK |
Avlopp till källspänning (Vdss): | 60V |
Beskrivning: | MOSFET N-CH 60V 13.6A I2PAK |
Ström - Kontinuerlig avlopp (Id) @ 25 ° C: | 13.6A (Tc) |
Email: | [email protected] |