GP1M009A020HG
GP1M009A020HG
Artikelnummer:
GP1M009A020HG
Tillverkare:
Global Power Technologies Group
Beskrivning:
MOSFET N-CH 200V 9A TO220
Ledningsfri status / RoHS-status:
Blyfri / RoHS-kompatibel
tillgänglig kvantitet:
16245 Pieces
Datablad:
GP1M009A020HG.pdf

Introduktion

BYCHIPS är strumpfördelaren för GP1M009A020HG, vi har lager för omedelbar frakt och även tillgänglig för lång tid leverans. Vänligen skicka oss din köpplan för GP1M009A020HG via e-post, vi ger dig det bästa priset enligt din plan.
köpa GP1M009A020HG med BYCHPS
Köp med garanti

Specifikationer

Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Teknologi:MOSFET (Metal Oxide)
Leverantörs Device Package:TO-220
Serier:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:400 mOhm @ 4.5A, 10V
Effektdissipation (Max):52W (Tc)
Förpackning:Tape & Reel (TR)
Förpackning / fall:TO-220-3
Driftstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp:Through Hole
Fuktkänslighetsnivå (MSL):1 (Unlimited)
Tillverkarens varunummer:GP1M009A020HG
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds:414pF @ 25V
Gate Laddning (Qg) (Max) @ Vgs:8.6nC @ 10V
FET-typ:N-Channel
FET-funktionen:-
Utvidgad beskrivning:N-Channel 200V 9A (Tc) 52W (Tc) Through Hole TO-220
Avlopp till källspänning (Vdss):200V
Beskrivning:MOSFET N-CH 200V 9A TO220
Ström - Kontinuerlig avlopp (Id) @ 25 ° C:9A (Tc)
Email:[email protected]

Snabbsökcitation

Artikelnummer
Kvantitet
Företag
E-post
Telefon
kommentarer