GP1M010A080FH
GP1M010A080FH
Artikelnummer:
GP1M010A080FH
Tillverkare:
Global Power Technologies Group
Beskrivning:
MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220F
Ledningsfri status / RoHS-status:
Blyfri / RoHS-kompatibel
tillgänglig kvantitet:
14074 Pieces
Datablad:
GP1M010A080FH.pdf

Introduktion

BYCHIPS är strumpfördelaren för GP1M010A080FH, vi har lager för omedelbar frakt och även tillgänglig för lång tid leverans. Vänligen skicka oss din köpplan för GP1M010A080FH via e-post, vi ger dig det bästa priset enligt din plan.
köpa GP1M010A080FH med BYCHPS
Köp med garanti

Specifikationer

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Teknologi:MOSFET (Metal Oxide)
Leverantörs Device Package:TO-220F
Serier:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:1.05 Ohm @ 4.75A, 10V
Effektdissipation (Max):48W (Tc)
Förpackning:Tube
Förpackning / fall:TO-220-3 Full Pack
Andra namn:1560-1176-1
1560-1176-1-ND
Driftstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp:Through Hole
Fuktkänslighetsnivå (MSL):1 (Unlimited)
Tillverkarens varunummer:GP1M010A080FH
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds:2336pF @ 25V
Gate Laddning (Qg) (Max) @ Vgs:53nC @ 10V
FET-typ:N-Channel
FET-funktionen:-
Utvidgad beskrivning:N-Channel 800V 9.5A (Tc) 48W (Tc) Through Hole TO-220F
Avlopp till källspänning (Vdss):800V
Beskrivning:MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220F
Ström - Kontinuerlig avlopp (Id) @ 25 ° C:9.5A (Tc)
Email:[email protected]

Snabbsökcitation

Artikelnummer
Kvantitet
Företag
E-post
Telefon
kommentarer