GP2M008A060HG
GP2M008A060HG
Artikelnummer:
GP2M008A060HG
Tillverkare:
Global Power Technologies Group
Beskrivning:
MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220
Ledningsfri status / RoHS-status:
Blyfri / RoHS-kompatibel
tillgänglig kvantitet:
14474 Pieces
Datablad:
GP2M008A060HG.pdf

Introduktion

BYCHIPS är strumpfördelaren för GP2M008A060HG, vi har lager för omedelbar frakt och även tillgänglig för lång tid leverans. Vänligen skicka oss din köpplan för GP2M008A060HG via e-post, vi ger dig det bästa priset enligt din plan.
köpa GP2M008A060HG med BYCHPS
Köp med garanti

Specifikationer

Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Teknologi:MOSFET (Metal Oxide)
Leverantörs Device Package:TO-220
Serier:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:1.2 Ohm @ 3.75A, 10V
Effektdissipation (Max):120W (Tc)
Förpackning:Tape & Reel (TR)
Förpackning / fall:TO-220-3
Driftstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp:Through Hole
Fuktkänslighetsnivå (MSL):1 (Unlimited)
Tillverkarens varunummer:GP2M008A060HG
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds:1063pF @ 25V
Gate Laddning (Qg) (Max) @ Vgs:23nC @ 10V
FET-typ:N-Channel
FET-funktionen:-
Utvidgad beskrivning:N-Channel 600V 7.5A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-220
Avlopp till källspänning (Vdss):600V
Beskrivning:MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220
Ström - Kontinuerlig avlopp (Id) @ 25 ° C:7.5A (Tc)
Email:[email protected]

Snabbsökcitation

Artikelnummer
Kvantitet
Företag
E-post
Telefon
kommentarer