GP2M010A065F
GP2M010A065F
Artikelnummer:
GP2M010A065F
Tillverkare:
Global Power Technologies Group
Beskrivning:
MOSFET N-CH 650V 9.5A TO220F
Ledningsfri status / RoHS-status:
Blyfri / RoHS-kompatibel
tillgänglig kvantitet:
13522 Pieces
Datablad:
GP2M010A065F.pdf

Introduktion

BYCHIPS är strumpfördelaren för GP2M010A065F, vi har lager för omedelbar frakt och även tillgänglig för lång tid leverans. Vänligen skicka oss din köpplan för GP2M010A065F via e-post, vi ger dig det bästa priset enligt din plan.
köpa GP2M010A065F med BYCHPS
Köp med garanti

Specifikationer

Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Teknologi:MOSFET (Metal Oxide)
Leverantörs Device Package:TO-220F
Serier:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:820 mOhm @ 4.75A, 10V
Effektdissipation (Max):52W (Tc)
Förpackning:Tube
Förpackning / fall:TO-220-3 Full Pack
Andra namn:1560-1207-1
1560-1207-1-ND
Driftstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp:Through Hole
Fuktkänslighetsnivå (MSL):1 (Unlimited)
Tillverkarens varunummer:GP2M010A065F
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds:1670pF @ 25V
Gate Laddning (Qg) (Max) @ Vgs:36nC @ 10V
FET-typ:N-Channel
FET-funktionen:-
Utvidgad beskrivning:N-Channel 650V 9.5A (Tc) 52W (Tc) Through Hole TO-220F
Avlopp till källspänning (Vdss):650V
Beskrivning:MOSFET N-CH 650V 9.5A TO220F
Ström - Kontinuerlig avlopp (Id) @ 25 ° C:9.5A (Tc)
Email:[email protected]

Snabbsökcitation

Artikelnummer
Kvantitet
Företag
E-post
Telefon
kommentarer