köpa GPA030A135MN-FDR med BYCHPS
Köp med garanti
GPA030A135MN-FDR
- Artikelnummer:
- GPA030A135MN-FDR
- Tillverkare:
- Global Power Technologies Group
- Beskrivning:
- IGBT 1350V 60A 329W TO3PN
- Ledningsfri status / RoHS-status:
- Blyfri / RoHS-kompatibel
- tillgänglig kvantitet:
- 14358 Pieces
- Datablad:
- GPA030A135MN-FDR.pdf
Introduktion
BYCHIPS är strumpfördelaren för GPA030A135MN-FDR, vi har lager för omedelbar frakt och även tillgänglig för lång tid leverans. Vänligen skicka oss din köpplan för GPA030A135MN-FDR via e-post, vi ger dig det bästa priset enligt din plan.
Specifikationer
| Spänning - Samlare Emitter Breakdown (Max): | 1350V |
|---|---|
| Vce (på) (Max) @ Vge, Ic: | 2.4V @ 15V, 30A |
| Testvillkor: | 600V, 30A, 5 Ohm, 15V |
| Td (på / av) @ 25 ° C: | 30ns/145ns |
| Byt energi: | 4.4mJ (on), 1.18mJ (off) |
| Leverantörs Device Package: | TO-3PN |
| Serier: | - |
| Omvänd återställningstid (trr): | 450ns |
| Effekt - Max: | 329W |
| Förpackning: | Tube |
| Förpackning / fall: | TO-3 |
| Andra namn: | 1560-1221-1 1560-1221-1-ND |
| Driftstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Monteringstyp: | Through Hole |
| Fuktkänslighetsnivå (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tillverkarens varunummer: | GPA030A135MN-FDR |
| Inmatningstyp: | Standard |
| IGBT-typ: | Trench Field Stop |
| Gate Charge: | 300nC |
| Utvidgad beskrivning: | IGBT Trench Field Stop 1350V 60A 329W Through Hole TO-3PN |
| Beskrivning: | IGBT 1350V 60A 329W TO3PN |
| Nuvarande - Collector Pulsed (Icm): | 90A |
| Nuvarande - Samlare (Ic) (Max): | 60A |
| Email: | [email protected] |
Relaterade delar till GPA030A135MN-FDR
| Bild | Artikelnummer | tillverkare | Beskrivning | Se |
|---|---|---|---|---|
 |
IRGB4B60KD1PBF | Infineon Technologies | IGBT 600V 11A 63W TO220AB | Förfrågan |
 |
IRG4PC40U | Infineon Technologies | IGBT 600V 40A 160W TO247AC | Förfrågan |
 |
GPA030A120MN-FD | Global Power Technologies Group | IGBT 1200V 60A 329W TO3PN | Förfrågan |
 |
IXGH34N60B2 | IXYS | IGBT 600V 70A 190W TO247AD | Förfrågan |
 |
GPA030A120I-FD | Global Power Technologies Group | IGBT 1200V 60A 329W TO247 | Förfrågan |
|
IXGH25N100U1 | IXYS | IGBT 1000V 50A 200W TO247AD | Förfrågan |
 |
IRG4BH20K-STRLP | Infineon Technologies | IGBT 1200V 11A 60W D2PAK | Förfrågan |
 |
IKZ75N65NH5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 650V 75A CO-PACK TO-247-4 | Förfrågan |
 |
APT60GT60BRG | Microsemi Corporation | IGBT 600V 100A 500W TO247 | Förfrågan |
 |
RJH60D3DPP-M0#T2 | Renesas Electronics America | IGBT 600V 35A 30W TO220FL | Förfrågan |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog