IPB027N10N3GATMA1
IPB027N10N3GATMA1
Artikelnummer:
IPB027N10N3GATMA1
Tillverkare:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Beskrivning:
MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3
Ledningsfri status / RoHS-status:
Blyfri / RoHS-kompatibel
tillgänglig kvantitet:
19463 Pieces
Datablad:
IPB027N10N3GATMA1.pdf

Introduktion

BYCHIPS är strumpfördelaren för IPB027N10N3GATMA1, vi har lager för omedelbar frakt och även tillgänglig för lång tid leverans. Vänligen skicka oss din köpplan för IPB027N10N3GATMA1 via e-post, vi ger dig det bästa priset enligt din plan.
köpa IPB027N10N3GATMA1 med BYCHPS
Köp med garanti

Specifikationer

Vgs (th) (Max) @ Id:3.5V @ 275µA
Vgs (Max):±20V
Teknologi:MOSFET (Metal Oxide)
Leverantörs Device Package:PG-TO263-2
Serier:OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:2.7 mOhm @ 100A, 10V
Effektdissipation (Max):300W (Tc)
Förpackning:Tape & Reel (TR)
Förpackning / fall:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andra namn:IPB027N10N3 G
IPB027N10N3 G-ND
IPB027N10N3 GTR-ND
IPB027N10N3G
SP000506508
Driftstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp:Surface Mount
Fuktkänslighetsnivå (MSL):1 (Unlimited)
Tillverkarens normala ledtid:14 Weeks
Tillverkarens varunummer:IPB027N10N3GATMA1
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds:14800pF @ 50V
Gate Laddning (Qg) (Max) @ Vgs:206nC @ 10V
FET-typ:N-Channel
FET-funktionen:-
Utvidgad beskrivning:N-Channel 100V 120A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-2
Drivspänning (Max Rds På, Min Rds På):6V, 10V
Avlopp till källspänning (Vdss):100V
Beskrivning:MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3
Ström - Kontinuerlig avlopp (Id) @ 25 ° C:120A (Tc)
Email:[email protected]

Snabbsökcitation

Artikelnummer
Kvantitet
Företag
E-post
Telefon
kommentarer