köpa IPB120N06S4H1ATMA1 med BYCHPS
Köp med garanti
IPB120N06S4H1ATMA1
- Artikelnummer:
- IPB120N06S4H1ATMA1
- Tillverkare:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Beskrivning:
- MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
- Ledningsfri status / RoHS-status:
- Blyfri / RoHS-kompatibel
- tillgänglig kvantitet:
- 15965 Pieces
- Datablad:
- IPB120N06S4H1ATMA1.pdf
Introduktion
BYCHIPS är strumpfördelaren för IPB120N06S4H1ATMA1, vi har lager för omedelbar frakt och även tillgänglig för lång tid leverans. Vänligen skicka oss din köpplan för IPB120N06S4H1ATMA1 via e-post, vi ger dig det bästa priset enligt din plan.
Specifikationer
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 200µA |
|---|---|
| Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Leverantörs Device Package: | PG-TO263-3-2 |
| Serier: | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 2.1 mOhm @ 100A, 10V |
| Effektdissipation (Max): | 250W (Tc) |
| Förpackning: | Tape & Reel (TR) |
| Förpackning / fall: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Andra namn: | IPB120N06S4-H1 IPB120N06S4-H1-ND SP000396274 |
| Driftstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Monteringstyp: | Surface Mount |
| Fuktkänslighetsnivå (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tillverkarens varunummer: | IPB120N06S4H1ATMA1 |
| Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 21900pF @ 25V |
| Gate Laddning (Qg) (Max) @ Vgs: | 270nC @ 10V |
| FET-typ: | N-Channel |
| FET-funktionen: | - |
| Utvidgad beskrivning: | N-Channel 60V 120A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2 |
| Avlopp till källspänning (Vdss): | 60V |
| Beskrivning: | MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3 |
| Ström - Kontinuerlig avlopp (Id) @ 25 ° C: | 120A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Relaterade delar till IPB120N06S4H1ATMA1
| Bild | Artikelnummer | tillverkare | Beskrivning | Se |
|---|---|---|---|---|
 |
IPB120N06S403ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3 | Förfrågan |
|
IPB120N06S402ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3 | Förfrågan |
|
IPB120N06S4H1ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3 | Förfrågan |
|
IPB120N06N G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 75A TO-263 | Förfrågan |
|
IPB120N06S402ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3 | Förfrågan |
|
IPB120N06S403ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3 | Förfrågan |
|
IPB120N04S4L02ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 | Förfrågan |
|
IPB120N04S404ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 | Förfrågan |
|
IPB120N08S404ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 | Förfrågan |
|
IPB120N03S4L03ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 | Förfrågan |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog