köpa IPB65R190CFDAATMA1 med BYCHPS
Köp med garanti
IPB65R190CFDAATMA1
- Artikelnummer:
- IPB65R190CFDAATMA1
- Tillverkare:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Beskrivning:
- MOSFET N-CH TO263-3
- Ledningsfri status / RoHS-status:
- Blyfri / RoHS-kompatibel
- tillgänglig kvantitet:
- 18184 Pieces
- Datablad:
- IPB65R190CFDAATMA1.pdf
Introduktion
BYCHIPS är strumpfördelaren för IPB65R190CFDAATMA1, vi har lager för omedelbar frakt och även tillgänglig för lång tid leverans. Vänligen skicka oss din köpplan för IPB65R190CFDAATMA1 via e-post, vi ger dig det bästa priset enligt din plan.
Specifikationer
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4.5V @ 700µA |
|---|---|
| Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Leverantörs Device Package: | PG-TO263 |
| Serier: | Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 190 mOhm @ 7.3A, 10V |
| Effektdissipation (Max): | 151W (Tc) |
| Förpackning: | Tape & Reel (TR) |
| Förpackning / fall: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Andra namn: | SP000928264 |
| Driftstemperatur: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Monteringstyp: | Surface Mount |
| Fuktkänslighetsnivå (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tillverkarens normala ledtid: | 16 Weeks |
| Tillverkarens varunummer: | IPB65R190CFDAATMA1 |
| Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 1850pF @ 100V |
| Gate Laddning (Qg) (Max) @ Vgs: | 68nC @ 10V |
| FET-typ: | N-Channel |
| FET-funktionen: | - |
| Utvidgad beskrivning: | N-Channel 650V 17.5A (Tc) 151W (Tc) Surface Mount PG-TO263 |
| Avlopp till källspänning (Vdss): | 650V |
| Beskrivning: | MOSFET N-CH TO263-3 |
| Ström - Kontinuerlig avlopp (Id) @ 25 ° C: | 17.5A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Relaterade delar till IPB65R190CFDAATMA1
| Bild | Artikelnummer | tillverkare | Beskrivning | Se |
|---|---|---|---|---|
 |
IPB65R125C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 | Förfrågan |
|
IPB65R190C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 | Förfrågan |
|
IPB65R110CFDAATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 | Förfrågan |
|
IPB65R150CFDAATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 | Förfrågan |
|
IPB65R190C6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 20.2A TO263 | Förfrågan |
|
IPB65R190CFD | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 17.5A TO263 | Förfrågan |
|
IPB65R099C6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 38A TO263 | Förfrågan |
|
IPB65R600C6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 7.3A TO263 | Förfrågan |
|
IPB65R150CFDATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 22.4A TO-263 | Förfrågan |
|
IPB65R280E6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 | Förfrågan |
|
IPB65R380C6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 10.6A TO263 | Förfrågan |
|
IPB65R110CFD | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 31.2A TO263 | Förfrågan |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog