köpa IPI65R110CFDXKSA1 med BYCHPS
Köp med garanti
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4.5V @ 1.3mA |
|---|---|
| Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Leverantörs Device Package: | PG-TO262-3 |
| Serier: | CoolMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 110 mOhm @ 12.7A, 10V |
| Effektdissipation (Max): | 277.8W (Tc) |
| Förpackning: | Tube |
| Förpackning / fall: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Andra namn: | IPI65R110CFD IPI65R110CFD-ND SP000896398 |
| Driftstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Monteringstyp: | Through Hole |
| Fuktkänslighetsnivå (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tillverkarens normala ledtid: | 16 Weeks |
| Tillverkarens varunummer: | IPI65R110CFDXKSA1 |
| Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 3240pF @ 100V |
| Gate Laddning (Qg) (Max) @ Vgs: | 118nC @ 10V |
| FET-typ: | N-Channel |
| FET-funktionen: | - |
| Utvidgad beskrivning: | N-Channel 650V 31.2A (Tc) 277.8W (Tc) Through Hole PG-TO262-3 |
| Avlopp till källspänning (Vdss): | 650V |
| Beskrivning: | MOSFET N-CH 650V 31.2A TO262 |
| Ström - Kontinuerlig avlopp (Id) @ 25 ° C: | 31.2A (Tc) |
| Email: | [email protected] |