köpa IPL65R660E6AUMA1 med BYCHPS
Köp med garanti
Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 200µA |
---|---|
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverantörs Device Package: | Thin-Pak (8x8) |
Serier: | CoolMOS™ E6 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 660 mOhm @ 2.1A, 10V |
Effektdissipation (Max): | 63W (Tc) |
Förpackning: | Tape & Reel (TR) |
Förpackning / fall: | 4-PowerTSFN |
Andra namn: | SP000895212 |
Driftstemperatur: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Monteringstyp: | Surface Mount |
Fuktkänslighetsnivå (MSL): | 1 (Unlimited) |
Tillverkarens normala ledtid: | 12 Weeks |
Tillverkarens varunummer: | IPL65R660E6AUMA1 |
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 440pF @ 100V |
Gate Laddning (Qg) (Max) @ Vgs: | 23nC @ 10V |
FET-typ: | N-Channel |
FET-funktionen: | - |
Utvidgad beskrivning: | N-Channel 650V 7A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount Thin-Pak (8x8) |
Avlopp till källspänning (Vdss): | 650V |
Beskrivning: | MOSFET N-CH 4VSON |
Ström - Kontinuerlig avlopp (Id) @ 25 ° C: | 7A (Tc) |
Email: | [email protected] |