köpa IPW65R190E6FKSA1 med BYCHPS
Köp med garanti
IPW65R190E6FKSA1
- Artikelnummer:
- IPW65R190E6FKSA1
- Tillverkare:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Beskrivning:
- MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247
- Ledningsfri status / RoHS-status:
- Blyfri / RoHS-kompatibel
- tillgänglig kvantitet:
- 12506 Pieces
- Datablad:
- IPW65R190E6FKSA1.pdf
Introduktion
BYCHIPS är strumpfördelaren för IPW65R190E6FKSA1, vi har lager för omedelbar frakt och även tillgänglig för lång tid leverans. Vänligen skicka oss din köpplan för IPW65R190E6FKSA1 via e-post, vi ger dig det bästa priset enligt din plan.
Specifikationer
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 730µA |
|---|---|
| Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Leverantörs Device Package: | PG-TO247-3 |
| Serier: | CoolMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 190 mOhm @ 7.3A, 10V |
| Effektdissipation (Max): | 151W (Tc) |
| Förpackning: | Tube |
| Förpackning / fall: | TO-247-3 |
| Andra namn: | IPW65R190E6 IPW65R190E6-ND SP000863906 |
| Driftstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Monteringstyp: | Through Hole |
| Fuktkänslighetsnivå (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tillverkarens normala ledtid: | 12 Weeks |
| Tillverkarens varunummer: | IPW65R190E6FKSA1 |
| Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 1620pF @ 100V |
| Gate Laddning (Qg) (Max) @ Vgs: | 73nC @ 10V |
| FET-typ: | N-Channel |
| FET-funktionen: | - |
| Utvidgad beskrivning: | N-Channel 650V 20.2A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO247-3 |
| Avlopp till källspänning (Vdss): | 650V |
| Beskrivning: | MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247 |
| Ström - Kontinuerlig avlopp (Id) @ 25 ° C: | 20.2A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Relaterade delar till IPW65R190E6FKSA1
| Bild | Artikelnummer | tillverkare | Beskrivning | Se |
|---|---|---|---|---|
 |
IPW65R190CFDAFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247 | Förfrågan |
|
IPW65R150CFDFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO247 | Förfrågan |
|
IPW65R110CFDAFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247 | Förfrågan |
|
IPW65R190C6FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247 | Förfrågan |
|
IPW65R190C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247 | Förfrågan |
|
IPW65R190CFD | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247 | Förfrågan |
|
IPW65R099C6FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 38A TO-247 | Förfrågan |
|
IPW65R110CFD | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247 | Förfrågan |
|
IPW65R125C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO247 | Förfrågan |
|
IPW65R150CFDAFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO247 | Förfrågan |
|
IPW65R420CFDFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 8.7A TO247 | Förfrågan |
|
IPW65R041CFD | Infineon Technologies | MOSFET N CH 650V 68.5A PG-TO247 | Förfrågan |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog