köpa IXZR08N120B-00 med BYCHPS
Köp med garanti
IXZR08N120B-00
- Artikelnummer:
- IXZR08N120B-00
- Tillverkare:
- IXYS Corporation
- Beskrivning:
- RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3
- Ledningsfri status / RoHS-status:
- Blyfri / RoHS-kompatibel
- tillgänglig kvantitet:
- 14096 Pieces
- Datablad:
- IXZR08N120B-00.pdf
Introduktion
BYCHIPS är strumpfördelaren för IXZR08N120B-00, vi har lager för omedelbar frakt och även tillgänglig för lång tid leverans. Vänligen skicka oss din köpplan för IXZR08N120B-00 via e-post, vi ger dig det bästa priset enligt din plan.
Specifikationer
| Spänning - Test: | - |
|---|---|
| Spänningsvärde: | 1200V |
| Transistortyp: | N-Channel |
| Leverantörs Device Package: | PLUS247™-3 |
| Serier: | Z-MOS™ |
| Uteffekt: | 250W |
| Förpackning: | Tube |
| Förpackning / fall: | TO-247-3 |
| Bullerbild: | - |
| Fuktkänslighetsnivå (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tillverkarens normala ledtid: | 10 Weeks |
| Tillverkarens varunummer: | IXZR08N120B-00 |
| Få: | - |
| Frekvens: | 100MHz |
| Utvidgad beskrivning: | RF Mosfet N-Channel 100MHz 250W PLUS247™-3 |
| Beskrivning: | RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 |
| Nuvarande omdöme: | 1mA |
| Nuvarande - Test: | - |
| Email: | [email protected] |
Relaterade delar till IXZR08N120B-00
| Bild | Artikelnummer | tillverkare | Beskrivning | Se |
|---|---|---|---|---|
 |
MRF6S23140HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 2.39GHZ NI-880S | Förfrågan |
 |
BLF6G13LS-250PGJ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 100V 17DB SOT1121E | Förfrågan |
 |
IXZR08N120 | IXYS | RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 | Förfrågan |
 |
BLC9G20XS-550AVT | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 15.4DB SOT12587 | Förfrågan |
|
IXZR08N120A-00 | IXYS | RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 | Förfrågan |
|
MRF6S9060MBR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 880MHZ TO-272-2 | Förfrågan |
 |
PTFA091503ELV4R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 150W PG-33288-6 | Förfrågan |
|
PTFB211503FLV2R0XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS H-34288-4 | Förfrågan |
 |
CGHV40100P | Cree/Wolfspeed | FET RF 125V 4GHZ 440206 | Förfrågan |
 |
NE3516S02-T1C-A | CEL | IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX | Förfrågan |
 |
MRF6VP2600HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 110V 225MHZ NI-1230 | Förfrågan |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog