NDD03N50Z-1G
NDD03N50Z-1G
Artikelnummer:
NDD03N50Z-1G
Tillverkare:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beskrivning:
MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK
Ledningsfri status / RoHS-status:
Blyfri / RoHS-kompatibel
tillgänglig kvantitet:
12969 Pieces
Datablad:
NDD03N50Z-1G.pdf

Introduktion

BYCHIPS är strumpfördelaren för NDD03N50Z-1G, vi har lager för omedelbar frakt och även tillgänglig för lång tid leverans. Vänligen skicka oss din köpplan för NDD03N50Z-1G via e-post, vi ger dig det bästa priset enligt din plan.
köpa NDD03N50Z-1G med BYCHPS
Köp med garanti

Specifikationer

Vgs (th) (Max) @ Id:4.5V @ 50µA
Teknologi:MOSFET (Metal Oxide)
Leverantörs Device Package:I-Pak
Serier:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:3.3 Ohm @ 1.15A, 10V
Effektdissipation (Max):58W (Tc)
Förpackning:Tube
Förpackning / fall:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Andra namn:NDD03N50Z-1G-ND
NDD03N50Z-1GOS
NDD03N50Z1G
Driftstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp:Through Hole
Fuktkänslighetsnivå (MSL):1 (Unlimited)
Tillverkarens varunummer:NDD03N50Z-1G
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds:274pF @ 25V
Gate Laddning (Qg) (Max) @ Vgs:10nC @ 10V
FET-typ:N-Channel
FET-funktionen:-
Utvidgad beskrivning:N-Channel 500V 2.6A (Tc) 58W (Tc) Through Hole I-Pak
Avlopp till källspänning (Vdss):500V
Beskrivning:MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK
Ström - Kontinuerlig avlopp (Id) @ 25 ° C:2.6A (Tc)
Email:[email protected]

Snabbsökcitation

Artikelnummer
Kvantitet
Företag
E-post
Telefon
kommentarer