köpa NE3516S02-A med BYCHPS
Köp med garanti
NE3516S02-A
- Artikelnummer:
- NE3516S02-A
- Tillverkare:
- CEL (California Eastern Laboratories)
- Beskrivning:
- IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX
- Ledningsfri status / RoHS-status:
- Blyfri / RoHS-kompatibel
- tillgänglig kvantitet:
- 19208 Pieces
- Datablad:
- NE3516S02-A.pdf
Introduktion
BYCHIPS är strumpfördelaren för NE3516S02-A, vi har lager för omedelbar frakt och även tillgänglig för lång tid leverans. Vänligen skicka oss din köpplan för NE3516S02-A via e-post, vi ger dig det bästa priset enligt din plan.
Specifikationer
| Spänning - Test: | 2V |
|---|---|
| Spänningsvärde: | 4V |
| Transistortyp: | N-Channel GaAs HJ-FET |
| Leverantörs Device Package: | S02 |
| Serier: | - |
| Uteffekt: | 165mW |
| Förpackning: | Bulk |
| Förpackning / fall: | 4-SMD, Flat Leads |
| Bullerbild: | 0.35dB |
| Fuktkänslighetsnivå (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tillverkarens varunummer: | NE3516S02-A |
| Få: | 14dB |
| Frekvens: | 12GHz |
| Utvidgad beskrivning: | RF Mosfet N-Channel GaAs HJ-FET 2V 10mA 12GHz 14dB 165mW S02 |
| Beskrivning: | IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX |
| Nuvarande omdöme: | 60mA |
| Nuvarande - Test: | 10mA |
| Email: | [email protected] |
Relaterade delar till NE3516S02-A
| Bild | Artikelnummer | tillverkare | Beskrivning | Se |
|---|---|---|---|---|
 |
NE3511S02-A | CEL | HJ-FET NCH 13.5DB S02 | Förfrågan |
|
NE3515S02-A | CEL | FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 | Förfrågan |
 |
PTFA091201GL V1 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 120W PG-63248-2 | Förfrågan |
 |
NE3513M04-T2B-A | CEL | FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD | Förfrågan |
 |
NE3513M04-T2-A | CEL | FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD | Förfrågan |
|
NE3516S02-T1C-A | CEL | IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX | Förfrågan |
|
NE3514S02-A | CEL | HJ-FET NCH 10DB S02 | Förfrågan |
|
NE3515S02-T1D-A | CEL | FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 | Förfrågan |
|
NE3512S02-A | CEL | HJ-FET NCH 13.5DB S02 | Förfrågan |
|
NE3510M04-T2-A | CEL | FET RF 4V 4GHZ M04 | Förfrågan |
|
NE3515S02-T1C-A | CEL | FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 | Förfrågan |
|
NE3513M04-A | CEL | FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD | Förfrågan |
|
NE3514S02-T1C-A | CEL | HJ-FET NCH 10DB S02 | Förfrågan |
|
NE3510M04-A | CEL | FET RF 4V 4GHZ M04 | Förfrågan |
|
NE3512S02-T1C-A | CEL | HJ-FET NCH 13.5DB S02 | Förfrågan |
|
NE3517S03-T1C-A | CEL | FET RF 4V 20GHZ S03 | Förfrågan |
|
NE3511S02-T1C-A | CEL | IC AMP RF LNA 13.5DB S02 | Förfrågan |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog