SI5935CDC-T1-GE3
SI5935CDC-T1-GE3
Artikelnummer:
SI5935CDC-T1-GE3
Tillverkare:
Vishay / Siliconix
Beskrivning:
MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8
Ledningsfri status / RoHS-status:
Blyfri / RoHS-kompatibel
tillgänglig kvantitet:
15186 Pieces
Datablad:
SI5935CDC-T1-GE3.pdf

Introduktion

BYCHIPS är strumpfördelaren för SI5935CDC-T1-GE3, vi har lager för omedelbar frakt och även tillgänglig för lång tid leverans. Vänligen skicka oss din köpplan för SI5935CDC-T1-GE3 via e-post, vi ger dig det bästa priset enligt din plan.
köpa SI5935CDC-T1-GE3 med BYCHPS
Köp med garanti

Specifikationer

Vgs (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
Leverantörs Device Package:1206-8 ChipFET™
Serier:TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:100 mOhm @ 3.1A, 4.5V
Effekt - Max:3.1W
Förpackning:Tape & Reel (TR)
Förpackning / fall:8-SMD, Flat Lead
Andra namn:SI5935CDC-T1-GE3TR
SI5935CDCT1GE3
Driftstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp:Surface Mount
Fuktkänslighetsnivå (MSL):1 (Unlimited)
Tillverkarens normala ledtid:24 Weeks
Tillverkarens varunummer:SI5935CDC-T1-GE3
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds:455pF @ 10V
Gate Laddning (Qg) (Max) @ Vgs:11nC @ 5V
FET-typ:2 P-Channel (Dual)
FET-funktionen:Standard
Utvidgad beskrivning:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4A 3.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Avlopp till källspänning (Vdss):20V
Beskrivning:MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8
Ström - Kontinuerlig avlopp (Id) @ 25 ° C:4A
Email:[email protected]

Snabbsökcitation

Artikelnummer
Kvantitet
Företag
E-post
Telefon
kommentarer