SI7392DP-T1-GE3
SI7392DP-T1-GE3
Artikelnummer:
SI7392DP-T1-GE3
Tillverkare:
Vishay / Siliconix
Beskrivning:
MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8
Ledningsfri status / RoHS-status:
Blyfri / RoHS-kompatibel
tillgänglig kvantitet:
15907 Pieces
Datablad:
SI7392DP-T1-GE3.pdf

Introduktion

BYCHIPS är strumpfördelaren för SI7392DP-T1-GE3, vi har lager för omedelbar frakt och även tillgänglig för lång tid leverans. Vänligen skicka oss din köpplan för SI7392DP-T1-GE3 via e-post, vi ger dig det bästa priset enligt din plan.
köpa SI7392DP-T1-GE3 med BYCHPS
Köp med garanti

Specifikationer

Vgs (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Teknologi:MOSFET (Metal Oxide)
Leverantörs Device Package:PowerPAK® SO-8
Serier:TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:9.75 mOhm @ 15A, 10V
Effektdissipation (Max):1.8W (Ta)
Förpackning:Tape & Reel (TR)
Förpackning / fall:PowerPAK® SO-8
Driftstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp:Surface Mount
Fuktkänslighetsnivå (MSL):1 (Unlimited)
Tillverkarens varunummer:SI7392DP-T1-GE3
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds:-
Gate Laddning (Qg) (Max) @ Vgs:15nC @ 4.5V
FET-typ:N-Channel
FET-funktionen:-
Utvidgad beskrivning:N-Channel 30V 9A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Avlopp till källspänning (Vdss):30V
Beskrivning:MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8
Ström - Kontinuerlig avlopp (Id) @ 25 ° C:9A (Ta)
Email:[email protected]

Snabbsökcitation

Artikelnummer
Kvantitet
Företag
E-post
Telefon
kommentarer