SI7997DP-T1-GE3
SI7997DP-T1-GE3
Artikelnummer:
SI7997DP-T1-GE3
Tillverkare:
Vishay / Siliconix
Beskrivning:
MOSFET 2P-CH 30V 60A PPAK SO-8
Ledningsfri status / RoHS-status:
Blyfri / RoHS-kompatibel
tillgänglig kvantitet:
13869 Pieces
Datablad:
SI7997DP-T1-GE3.pdf

Introduktion

BYCHIPS är strumpfördelaren för SI7997DP-T1-GE3, vi har lager för omedelbar frakt och även tillgänglig för lång tid leverans. Vänligen skicka oss din köpplan för SI7997DP-T1-GE3 via e-post, vi ger dig det bästa priset enligt din plan.
köpa SI7997DP-T1-GE3 med BYCHPS
Köp med garanti

Specifikationer

Vgs (th) (Max) @ Id:2.2V @ 250µA
Leverantörs Device Package:PowerPAK® SO-8 Dual
Serier:TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:5.5 mOhm @ 20A, 10V
Effekt - Max:46W
Förpackning:Tape & Reel (TR)
Förpackning / fall:PowerPAK® SO-8 Dual
Andra namn:SI7997DP-T1-GE3TR
SI7997DPT1GE3
Driftstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp:Surface Mount
Fuktkänslighetsnivå (MSL):1 (Unlimited)
Tillverkarens normala ledtid:15 Weeks
Tillverkarens varunummer:SI7997DP-T1-GE3
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds:6200pF @ 15V
Gate Laddning (Qg) (Max) @ Vgs:160nC @ 10V
FET-typ:2 P-Channel (Dual)
FET-funktionen:Standard
Utvidgad beskrivning:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 60A 46W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Avlopp till källspänning (Vdss):30V
Beskrivning:MOSFET 2P-CH 30V 60A PPAK SO-8
Ström - Kontinuerlig avlopp (Id) @ 25 ° C:60A
Email:[email protected]

Snabbsökcitation

Artikelnummer
Kvantitet
Företag
E-post
Telefon
kommentarer