SIA814DJ-T1-GE3
SIA814DJ-T1-GE3
Artikelnummer:
SIA814DJ-T1-GE3
Tillverkare:
Vishay / Siliconix
Beskrivning:
MOSFET N-CH 30V 4.5A SC70-6
Ledningsfri status / RoHS-status:
Blyfri / RoHS-kompatibel
tillgänglig kvantitet:
12789 Pieces
Datablad:
SIA814DJ-T1-GE3.pdf

Introduktion

BYCHIPS är strumpfördelaren för SIA814DJ-T1-GE3, vi har lager för omedelbar frakt och även tillgänglig för lång tid leverans. Vänligen skicka oss din köpplan för SIA814DJ-T1-GE3 via e-post, vi ger dig det bästa priset enligt din plan.
köpa SIA814DJ-T1-GE3 med BYCHPS
Köp med garanti

Specifikationer

Vgs (th) (Max) @ Id:1.5V @ 250µA
Teknologi:MOSFET (Metal Oxide)
Leverantörs Device Package:PowerPAK® SC-70-6 Dual
Serier:LITTLE FOOT®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:61 mOhm @ 3.3A, 10V
Effektdissipation (Max):1.9W (Ta), 6.5W (Tc)
Förpackning:Tape & Reel (TR)
Förpackning / fall:PowerPAK® SC-70-6 Dual
Andra namn:SIA814DJ-T1-GE3TR
SIA814DJT1GE3
Driftstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp:Surface Mount
Fuktkänslighetsnivå (MSL):1 (Unlimited)
Tillverkarens varunummer:SIA814DJ-T1-GE3
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds:340pF @ 10V
Gate Laddning (Qg) (Max) @ Vgs:11nC @ 10V
FET-typ:N-Channel
FET-funktionen:Schottky Diode (Isolated)
Utvidgad beskrivning:N-Channel 30V 4.5A (Tc) 1.9W (Ta), 6.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
Avlopp till källspänning (Vdss):30V
Beskrivning:MOSFET N-CH 30V 4.5A SC70-6
Ström - Kontinuerlig avlopp (Id) @ 25 ° C:4.5A (Tc)
Email:[email protected]

Snabbsökcitation

Artikelnummer
Kvantitet
Företag
E-post
Telefon
kommentarer