köpa SIE822DF-T1-GE3 med BYCHPS
Köp med garanti
Vgs (th) (Max) @ Id: | 3V @ 250µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±20V |
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverantörs Device Package: | 10-PolarPAK® (S) |
Serier: | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 3.4 mOhm @ 18.3A, 10V |
Effektdissipation (Max): | 5.2W (Ta), 104W (Tc) |
Förpackning: | Original-Reel® |
Förpackning / fall: | 10-PolarPAK® (S) |
Andra namn: | SIE822DF-T1-GE3DKR |
Driftstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Monteringstyp: | Surface Mount |
Fuktkänslighetsnivå (MSL): | 1 (Unlimited) |
Tillverkarens normala ledtid: | 24 Weeks |
Tillverkarens varunummer: | SIE822DF-T1-GE3 |
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 4200pF @ 10V |
Gate Laddning (Qg) (Max) @ Vgs: | 78nC @ 10V |
FET-typ: | N-Channel |
FET-funktionen: | - |
Utvidgad beskrivning: | N-Channel 20V 50A (Tc) 5.2W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (S) |
Drivspänning (Max Rds På, Min Rds På): | 4.5V, 10V |
Avlopp till källspänning (Vdss): | 20V |
Beskrivning: | MOSFET N-CH 20V 50A POLARPAK |
Ström - Kontinuerlig avlopp (Id) @ 25 ° C: | 50A (Tc) |
Email: | [email protected] |