SIHD3N50D-GE3
SIHD3N50D-GE3
Artikelnummer:
SIHD3N50D-GE3
Tillverkare:
Vishay / Siliconix
Beskrivning:
MOSFET N-CH 500V 3A TO252 DPAK
Ledningsfri status / RoHS-status:
Blyfri / RoHS-kompatibel
tillgänglig kvantitet:
16207 Pieces
Datablad:
SIHD3N50D-GE3.pdf

Introduktion

BYCHIPS är strumpfördelaren för SIHD3N50D-GE3, vi har lager för omedelbar frakt och även tillgänglig för lång tid leverans. Vänligen skicka oss din köpplan för SIHD3N50D-GE3 via e-post, vi ger dig det bästa priset enligt din plan.
köpa SIHD3N50D-GE3 med BYCHPS
Köp med garanti

Specifikationer

Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Teknologi:MOSFET (Metal Oxide)
Leverantörs Device Package:TO-252AA
Serier:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:3.2 Ohm @ 2.5A, 10V
Effektdissipation (Max):69W (Tc)
Förpackning:Tube
Förpackning / fall:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andra namn:SIHD3N50D-GE3CT
SIHD3N50D-GE3CT-ND
SIHD3N50DGE3
Driftstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp:Surface Mount
Fuktkänslighetsnivå (MSL):1 (Unlimited)
Tillverkarens normala ledtid:14 Weeks
Tillverkarens varunummer:SIHD3N50D-GE3
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds:175pF @ 100V
Gate Laddning (Qg) (Max) @ Vgs:12nC @ 10V
FET-typ:N-Channel
FET-funktionen:-
Utvidgad beskrivning:N-Channel 500V 3A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Avlopp till källspänning (Vdss):500V
Beskrivning:MOSFET N-CH 500V 3A TO252 DPAK
Ström - Kontinuerlig avlopp (Id) @ 25 ° C:3A (Tc)
Email:[email protected]

Snabbsökcitation

Artikelnummer
Kvantitet
Företag
E-post
Telefon
kommentarer