köpa SIHJ6N65E-T1-GE3 med BYCHPS
Köp med garanti
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±30V |
| Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Leverantörs Device Package: | PowerPAK® SO-8 |
| Serier: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 868 mOhm @ 3A, 10V |
| Effektdissipation (Max): | 74W (Tc) |
| Förpackning: | Tape & Reel (TR) |
| Förpackning / fall: | PowerPAK® SO-8 |
| Andra namn: | SIHJ6N65E-T1-GE3TR |
| Driftstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Monteringstyp: | Surface Mount |
| Fuktkänslighetsnivå (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tillverkarens normala ledtid: | 14 Weeks |
| Tillverkarens varunummer: | SIHJ6N65E-T1-GE3 |
| Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 596pF @ 100V |
| Gate Laddning (Qg) (Max) @ Vgs: | 32nC @ 10V |
| FET-typ: | N-Channel |
| FET-funktionen: | - |
| Utvidgad beskrivning: | N-Channel 650V 5.6A (Tc) 74W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
| Drivspänning (Max Rds På, Min Rds På): | 10V |
| Avlopp till källspänning (Vdss): | 650V |
| Beskrivning: | MOSFET N-CH 650V POWERPAK SO-8L |
| Ström - Kontinuerlig avlopp (Id) @ 25 ° C: | 5.6A (Tc) |
| Email: | [email protected] |