SIHP30N60E-GE3
SIHP30N60E-GE3
Artikelnummer:
SIHP30N60E-GE3
Tillverkare:
Vishay / Siliconix
Beskrivning:
MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB
Ledningsfri status / RoHS-status:
Blyfri / RoHS-kompatibel
tillgänglig kvantitet:
13824 Pieces
Datablad:
SIHP30N60E-GE3.pdf

Introduktion

BYCHIPS är strumpfördelaren för SIHP30N60E-GE3, vi har lager för omedelbar frakt och även tillgänglig för lång tid leverans. Vänligen skicka oss din köpplan för SIHP30N60E-GE3 via e-post, vi ger dig det bästa priset enligt din plan.
köpa SIHP30N60E-GE3 med BYCHPS
Köp med garanti

Specifikationer

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Teknologi:MOSFET (Metal Oxide)
Serier:E
Rds On (Max) @ Id, Vgs:125 mOhm @ 15A, 10V
Effektdissipation (Max):250W (Tc)
Förpackning:Original-Reel®
Förpackning / fall:TO-220-3
Andra namn:SIHP30N60E-GE3DKR
Driftstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp:Through Hole
Fuktkänslighetsnivå (MSL):1 (Unlimited)
Tillverkarens normala ledtid:21 Weeks
Tillverkarens varunummer:SIHP30N60E-GE3
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds:2600pF @ 100V
Gate Laddning (Qg) (Max) @ Vgs:130nC @ 10V
FET-typ:N-Channel
FET-funktionen:-
Utvidgad beskrivning:N-Channel 600V 29A (Tc) 250W (Tc) Through Hole
Avlopp till källspänning (Vdss):600V
Beskrivning:MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB
Ström - Kontinuerlig avlopp (Id) @ 25 ° C:29A (Tc)
Email:[email protected]

Snabbsökcitation

Artikelnummer
Kvantitet
Företag
E-post
Telefon
kommentarer