SIHW70N60EF-GE3
SIHW70N60EF-GE3
Artikelnummer:
SIHW70N60EF-GE3
Tillverkare:
Vishay / Siliconix
Beskrivning:
MOSFET N-CH 600V 70A TO-247AD
Ledningsfri status / RoHS-status:
Blyfri / RoHS-kompatibel
tillgänglig kvantitet:
19007 Pieces
Datablad:
SIHW70N60EF-GE3.pdf

Introduktion

BYCHIPS är strumpfördelaren för SIHW70N60EF-GE3, vi har lager för omedelbar frakt och även tillgänglig för lång tid leverans. Vänligen skicka oss din köpplan för SIHW70N60EF-GE3 via e-post, vi ger dig det bästa priset enligt din plan.
köpa SIHW70N60EF-GE3 med BYCHPS
Köp med garanti

Specifikationer

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Teknologi:MOSFET (Metal Oxide)
Leverantörs Device Package:TO-247AD
Serier:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:38 mOhm @ 35A, 10V
Effektdissipation (Max):520W (Tc)
Förpackning:Tube
Förpackning / fall:TO-247-3
Driftstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp:Through Hole
Fuktkänslighetsnivå (MSL):1 (Unlimited)
Tillverkarens normala ledtid:24 Weeks
Tillverkarens varunummer:SIHW70N60EF-GE3
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds:7500pF @ 100V
Gate Laddning (Qg) (Max) @ Vgs:380nC @ 10V
FET-typ:N-Channel
FET-funktionen:-
Utvidgad beskrivning:N-Channel 600V 70A (Tc) 520W (Tc) Through Hole TO-247AD
Drivspänning (Max Rds På, Min Rds På):10V
Avlopp till källspänning (Vdss):600V
Beskrivning:MOSFET N-CH 600V 70A TO-247AD
Ström - Kontinuerlig avlopp (Id) @ 25 ° C:70A (Tc)
Email:[email protected]

Snabbsökcitation

Artikelnummer
Kvantitet
Företag
E-post
Telefon
kommentarer