köpa SIR624DP-T1-GE3 med BYCHPS
Köp med garanti
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±20V |
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverantörs Device Package: | PowerPAK® SO-8 |
Serier: | ThunderFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 60 mOhm @ 10A, 10V |
Effektdissipation (Max): | 52W (Tc) |
Förpackning: | Original-Reel® |
Förpackning / fall: | PowerPAK® SO-8 |
Andra namn: | SIR624DP-T1-GE3DKR |
Driftstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Monteringstyp: | Surface Mount |
Fuktkänslighetsnivå (MSL): | 1 (Unlimited) |
Tillverkarens normala ledtid: | 19 Weeks |
Tillverkarens varunummer: | SIR624DP-T1-GE3 |
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 1110pF @ 100V |
Gate Laddning (Qg) (Max) @ Vgs: | 23nC @ 7.5V |
FET-typ: | N-Channel |
FET-funktionen: | - |
Utvidgad beskrivning: | N-Channel 200V 18.6A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
Drivspänning (Max Rds På, Min Rds På): | 7.5V, 10V |
Avlopp till källspänning (Vdss): | 200V |
Beskrivning: | MOSFET N-CH 200V 18.6A SO8 |
Ström - Kontinuerlig avlopp (Id) @ 25 ° C: | 18.6A (Tc) |
Email: | [email protected] |