SIR836DP-T1-GE3
SIR836DP-T1-GE3
Artikelnummer:
SIR836DP-T1-GE3
Tillverkare:
Vishay / Siliconix
Beskrivning:
MOSFET N-CH 40V 21A PPAK SO-8
Ledningsfri status / RoHS-status:
Blyfri / RoHS-kompatibel
tillgänglig kvantitet:
18866 Pieces
Datablad:
SIR836DP-T1-GE3.pdf

Introduktion

BYCHIPS är strumpfördelaren för SIR836DP-T1-GE3, vi har lager för omedelbar frakt och även tillgänglig för lång tid leverans. Vänligen skicka oss din köpplan för SIR836DP-T1-GE3 via e-post, vi ger dig det bästa priset enligt din plan.
köpa SIR836DP-T1-GE3 med BYCHPS
Köp med garanti

Specifikationer

Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Teknologi:MOSFET (Metal Oxide)
Leverantörs Device Package:PowerPAK® SO-8
Serier:TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:19 mOhm @ 10A, 10V
Effektdissipation (Max):3.9W (Ta), 15.6W (Tc)
Förpackning:Tape & Reel (TR)
Förpackning / fall:PowerPAK® SO-8
Andra namn:SIR836DP-T1-GE3TR
SIR836DPT1GE3
Driftstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp:Surface Mount
Fuktkänslighetsnivå (MSL):1 (Unlimited)
Tillverkarens normala ledtid:24 Weeks
Tillverkarens varunummer:SIR836DP-T1-GE3
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds:600pF @ 20V
Gate Laddning (Qg) (Max) @ Vgs:18nC @ 10V
FET-typ:N-Channel
FET-funktionen:-
Utvidgad beskrivning:N-Channel 40V 21A (Tc) 3.9W (Ta), 15.6W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Drivspänning (Max Rds På, Min Rds På):4.5V, 10V
Avlopp till källspänning (Vdss):40V
Beskrivning:MOSFET N-CH 40V 21A PPAK SO-8
Ström - Kontinuerlig avlopp (Id) @ 25 ° C:21A (Tc)
Email:[email protected]

Snabbsökcitation

Artikelnummer
Kvantitet
Företag
E-post
Telefon
kommentarer