SIRC16DP-T1-GE3
SIRC16DP-T1-GE3
Artikelnummer:
SIRC16DP-T1-GE3
Tillverkare:
Vishay / Siliconix
Beskrivning:
MOSFET N-CH 25V 60A SO8
Ledningsfri status / RoHS-status:
Blyfri / RoHS-kompatibel
tillgänglig kvantitet:
17940 Pieces
Datablad:
SIRC16DP-T1-GE3.pdf

Introduktion

BYCHIPS är strumpfördelaren för SIRC16DP-T1-GE3, vi har lager för omedelbar frakt och även tillgänglig för lång tid leverans. Vänligen skicka oss din köpplan för SIRC16DP-T1-GE3 via e-post, vi ger dig det bästa priset enligt din plan.
köpa SIRC16DP-T1-GE3 med BYCHPS
Köp med garanti

Specifikationer

Vgs (th) (Max) @ Id:2.4V @ 250µA
Vgs (Max):+20V, -16V
Teknologi:MOSFET (Metal Oxide)
Leverantörs Device Package:PowerPAK® SO-8
Serier:TrenchFET® Gen IV
Rds On (Max) @ Id, Vgs:0.96 mOhm @ 15A, 10V
Effektdissipation (Max):54.3W (Tc)
Förpackning:Tape & Reel (TR)
Förpackning / fall:PowerPAK® SO-8
Andra namn:SIRC16DP-T1-GE3TR
Driftstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp:Surface Mount
Fuktkänslighetsnivå (MSL):1 (Unlimited)
Tillverkarens normala ledtid:22 Weeks
Tillverkarens varunummer:SIRC16DP-T1-GE3
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds:5150pF @ 10V
Gate Laddning (Qg) (Max) @ Vgs:48nC @ 4.5V
FET-typ:N-Channel
FET-funktionen:-
Utvidgad beskrivning:N-Channel 25V 60A (Tc) 54.3W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Drivspänning (Max Rds På, Min Rds På):4.5V, 10V
Avlopp till källspänning (Vdss):25V
Beskrivning:MOSFET N-CH 25V 60A SO8
Ström - Kontinuerlig avlopp (Id) @ 25 ° C:60A (Tc)
Email:[email protected]

Snabbsökcitation

Artikelnummer
Kvantitet
Företag
E-post
Telefon
kommentarer