köpa SPB80N06S2L-07 med BYCHPS
Köp med garanti
SPB80N06S2L-07
- Artikelnummer:
- SPB80N06S2L-07
- Tillverkare:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Beskrivning:
- MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
- Ledningsfri status / RoHS-status:
- Innehåller lednings- / RoHS-överensstämmelse
- tillgänglig kvantitet:
- 19174 Pieces
- Datablad:
- SPB80N06S2L-07.pdf
Introduktion
BYCHIPS är strumpfördelaren för SPB80N06S2L-07, vi har lager för omedelbar frakt och även tillgänglig för lång tid leverans. Vänligen skicka oss din köpplan för SPB80N06S2L-07 via e-post, vi ger dig det bästa priset enligt din plan.
Specifikationer
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2V @ 150µA |
|---|---|
| Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Leverantörs Device Package: | PG-TO263-3-2 |
| Serier: | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 7 mOhm @ 60A, 10V |
| Effektdissipation (Max): | 210W (Tc) |
| Förpackning: | Tape & Reel (TR) |
| Förpackning / fall: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Andra namn: | SP000016357 SPB80N06S2L07T |
| Driftstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Monteringstyp: | Surface Mount |
| Fuktkänslighetsnivå (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tillverkarens varunummer: | SPB80N06S2L-07 |
| Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 4210pF @ 25V |
| Gate Laddning (Qg) (Max) @ Vgs: | 130nC @ 10V |
| FET-typ: | N-Channel |
| FET-funktionen: | - |
| Utvidgad beskrivning: | N-Channel 55V 80A (Tc) 210W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2 |
| Avlopp till källspänning (Vdss): | 55V |
| Beskrivning: | MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK |
| Ström - Kontinuerlig avlopp (Id) @ 25 ° C: | 80A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Relaterade delar till SPB80N06S2L-07
| Bild | Artikelnummer | tillverkare | Beskrivning | Se |
|---|---|---|---|---|
 |
SPB80N06S2-08 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK | Förfrågan |
|
SPB80N06S2L-11 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK | Förfrågan |
|
SPB80N06S2-07 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK | Förfrågan |
|
SPB80N06S2L-H5 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK | Förfrågan |
|
SPB80N06S2L-09 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK | Förfrågan |
|
SPB80N06S2-H5 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK | Förfrågan |
|
SPB80N06S2L-05 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK | Förfrågan |
|
SPB80N06S2L-06 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK | Förfrågan |
|
SPB80N06S2-05 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK | Förfrågan |
|
SPB80N06S2-09 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK | Förfrågan |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog