köpa SPI11N60C3XKSA1 med BYCHPS
Köp med garanti
SPI11N60C3XKSA1
- Artikelnummer:
- SPI11N60C3XKSA1
- Tillverkare:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Beskrivning:
- MOSFET N-CH 650V 11A TO-262
- Ledningsfri status / RoHS-status:
- Blyfri / RoHS-kompatibel
- tillgänglig kvantitet:
- 13652 Pieces
- Datablad:
- SPI11N60C3XKSA1.pdf
Introduktion
BYCHIPS är strumpfördelaren för SPI11N60C3XKSA1, vi har lager för omedelbar frakt och även tillgänglig för lång tid leverans. Vänligen skicka oss din köpplan för SPI11N60C3XKSA1 via e-post, vi ger dig det bästa priset enligt din plan.
Specifikationer
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.9V @ 500µA |
|---|---|
| Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Leverantörs Device Package: | PG-TO262-3-1 |
| Serier: | CoolMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 380 mOhm @ 7A, 10V |
| Effektdissipation (Max): | 125W (Tc) |
| Förpackning: | Tube |
| Förpackning / fall: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Andra namn: | SP000680986 SPI11N60C3 SPI11N60C3BKSA1 SPI11N60C3IN SPI11N60C3IN-ND SPI11N60C3X SPI11N60C3X-ND SPI11N60C3XK |
| Driftstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Monteringstyp: | Through Hole |
| Fuktkänslighetsnivå (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tillverkarens normala ledtid: | 8 Weeks |
| Tillverkarens varunummer: | SPI11N60C3XKSA1 |
| Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 1200pF @ 25V |
| Gate Laddning (Qg) (Max) @ Vgs: | 60nC @ 10V |
| FET-typ: | N-Channel |
| FET-funktionen: | - |
| Utvidgad beskrivning: | N-Channel 650V 11A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1 |
| Avlopp till källspänning (Vdss): | 650V |
| Beskrivning: | MOSFET N-CH 650V 11A TO-262 |
| Ström - Kontinuerlig avlopp (Id) @ 25 ° C: | 11A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Relaterade delar till SPI11N60C3XKSA1
| Bild | Artikelnummer | tillverkare | Beskrivning | Se |
|---|---|---|---|---|
 |
SPI11N60CFDHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 11A TO-262 | Förfrågan |
|
SPI11N65C3HKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 11A TO-262 | Förfrågan |
|
SPI11N60C3HKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 11A TO-262 | Förfrågan |
 |
IPB100N10S305ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3 | Förfrågan |
 |
DMG3414U-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23 | Förfrågan |
|
SPI11N65C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 11A TO-262 | Förfrågan |
|
SPI11N60S5BKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 11A TO-262 | Förfrågan |
 |
STFU15NM65N | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 12A TO-220FP | Förfrågan |
 |
NVMFS5C430NLWFT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 200A SO8FL | Förfrågan |
 |
IRFR3704TRR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 75A DPAK | Förfrågan |
|
IRFC4768ED | Infineon Technologies | MOSFET N-CH WAFER | Förfrågan |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog