köpa SQM120P06-07L_GE3 med BYCHPS
Köp med garanti
SQM120P06-07L_GE3
- Artikelnummer:
- SQM120P06-07L_GE3
- Tillverkare:
- Vishay / Siliconix
- Beskrivning:
- MOSFET P-CH 60V 120A TO263
- Ledningsfri status / RoHS-status:
- Blyfri / RoHS-kompatibel
- tillgänglig kvantitet:
- 13912 Pieces
- Datablad:
- SQM120P06-07L_GE3.pdf
Introduktion
BYCHIPS är strumpfördelaren för SQM120P06-07L_GE3, vi har lager för omedelbar frakt och även tillgänglig för lång tid leverans. Vänligen skicka oss din köpplan för SQM120P06-07L_GE3 via e-post, vi ger dig det bästa priset enligt din plan.
Specifikationer
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Leverantörs Device Package: | TO-263 (D2Pak) |
| Serier: | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 6.7 mOhm @ 30A, 10V |
| Effektdissipation (Max): | 375W (Tc) |
| Förpackning: | Original-Reel® |
| Förpackning / fall: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Andra namn: | SQM120P06-07L_GE3DKR |
| Driftstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Monteringstyp: | Surface Mount |
| Fuktkänslighetsnivå (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tillverkarens normala ledtid: | 18 Weeks |
| Tillverkarens varunummer: | SQM120P06-07L_GE3 |
| Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 14280pF @ 25V |
| Gate Laddning (Qg) (Max) @ Vgs: | 270nC @ 10V |
| FET-typ: | P-Channel |
| FET-funktionen: | - |
| Utvidgad beskrivning: | P-Channel 60V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2Pak) |
| Drivspänning (Max Rds På, Min Rds På): | 4.5V, 10V |
| Avlopp till källspänning (Vdss): | 60V |
| Beskrivning: | MOSFET P-CH 60V 120A TO263 |
| Ström - Kontinuerlig avlopp (Id) @ 25 ° C: | 120A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Relaterade delar till SQM120P06-07L_GE3
| Bild | Artikelnummer | tillverkare | Beskrivning | Se |
|---|---|---|---|---|
 |
IRFR110 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK | Förfrågan |
 |
SQM120N06-3M5L_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 120A TO-220 | Förfrågan |
 |
ZXMN10A07ZTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 1A SOT-89 | Förfrågan |
|
SQM120N04-1M7L_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 120A TO263 | Förfrågan |
|
IRFR120TRPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK | Förfrågan |
|
SQM120P04-04L_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 40V 120A TO-263 | Förfrågan |
|
SQM120N04-1M7_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 120A TO263 | Förfrågan |
 |
BSC886N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 65A TDSON-8 | Förfrågan |
 |
SQM120N10-3M8_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 120A TO263 | Förfrågan |
 |
IXTA1R4N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-263 | Förfrågan |
|
SQM120N03-1M5L_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 120A TO-263 | Förfrågan |
|
SQM120N04-1M9_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 120A TO263 | Förfrågan |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog