köpa IPB049NE7N3 G med BYCHPS
Köp med garanti
Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.8V @ 91µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±20V |
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverantörs Device Package: | PG-TO263-3 |
Serier: | OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 4.9 mOhm @ 80A, 10V |
Effektdissipation (Max): | 150W (Tc) |
Förpackning: | Tape & Reel (TR) |
Förpackning / fall: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Andra namn: | IPB049NE7N3 G-ND IPB049NE7N3G IPB049NE7N3GATMA1 SP000641752 |
Driftstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Monteringstyp: | Surface Mount |
Fuktkänslighetsnivå (MSL): | 1 (Unlimited) |
Tillverkarens normala ledtid: | 12 Weeks |
Tillverkarens varunummer: | IPB049NE7N3 G |
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 4750pF @ 37.5V |
Gate Laddning (Qg) (Max) @ Vgs: | 68nC @ 10V |
FET-typ: | N-Channel |
FET-funktionen: | - |
Utvidgad beskrivning: | N-Channel 75V 80A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3 |
Drivspänning (Max Rds På, Min Rds På): | 10V |
Avlopp till källspänning (Vdss): | 75V |
Beskrivning: | MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3 |
Ström - Kontinuerlig avlopp (Id) @ 25 ° C: | 80A (Tc) |
Email: | [email protected] |