köpa IPD65R600E6ATMA1 med BYCHPS
Köp med garanti
IPD65R600E6ATMA1
- Artikelnummer:
- IPD65R600E6ATMA1
- Tillverkare:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Beskrivning:
- MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3
- Ledningsfri status / RoHS-status:
- Blyfri / RoHS-kompatibel
- tillgänglig kvantitet:
- 15080 Pieces
- Datablad:
- IPD65R600E6ATMA1.pdf
Introduktion
BYCHIPS är strumpfördelaren för IPD65R600E6ATMA1, vi har lager för omedelbar frakt och även tillgänglig för lång tid leverans. Vänligen skicka oss din köpplan för IPD65R600E6ATMA1 via e-post, vi ger dig det bästa priset enligt din plan.
Specifikationer
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 210µA |
|---|---|
| Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Leverantörs Device Package: | PG-TO252-3 |
| Serier: | CoolMOS™ E6 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 600 mOhm @ 2.1A, 10V |
| Effektdissipation (Max): | 63W (Tc) |
| Förpackning: | Tape & Reel (TR) |
| Förpackning / fall: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Andra namn: | SP001117096 |
| Driftstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Monteringstyp: | Surface Mount |
| Fuktkänslighetsnivå (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tillverkarens normala ledtid: | 12 Weeks |
| Tillverkarens varunummer: | IPD65R600E6ATMA1 |
| Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 440pF @ 100V |
| Gate Laddning (Qg) (Max) @ Vgs: | 23nC @ 10V |
| FET-typ: | N-Channel |
| FET-funktionen: | - |
| Utvidgad beskrivning: | N-Channel 650V 7.3A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
| Avlopp till källspänning (Vdss): | 650V |
| Beskrivning: | MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3 |
| Ström - Kontinuerlig avlopp (Id) @ 25 ° C: | 7.3A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Relaterade delar till IPD65R600E6ATMA1
| Bild | Artikelnummer | tillverkare | Beskrivning | Se |
|---|---|---|---|---|
 |
IPD65R660CFDAATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO252-3 | Förfrågan |
|
IPD65R600C6BTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252 | Förfrågan |
 |
IPD65R600C6ATMA1 | Infineon Technologies | LOW POWER_LEGACY | Förfrågan |
|
IPD65R600E6BTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3 | Förfrågan |
|
IPD65R600C6 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252 | Förfrågan |
|
IPD65R660CFDBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 6A TO252 | Förfrågan |
|
IPD65R660CFDATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 6A TO252 | Förfrågan |
|
IPD65R380C6BTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3 | Förfrågan |
|
IPD65R650CEAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 7A TO-252 | Förfrågan |
|
IPD65R650CEATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 10.1A TO252 | Förfrågan |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog