köpa SIS434DN-T1-GE3 med BYCHPS
Köp med garanti
Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.2V @ 250µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±20V |
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverantörs Device Package: | PowerPAK® 1212-8 |
Serier: | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 7.6 mOhm @ 16.2A, 10V |
Effektdissipation (Max): | 3.8W (Ta), 52W (Tc) |
Förpackning: | Tape & Reel (TR) |
Förpackning / fall: | PowerPAK® 1212-8 |
Andra namn: | SIS434DN-T1-GE3-ND SIS434DN-T1-GE3TR SIS434DNT1GE3 |
Driftstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Monteringstyp: | Surface Mount |
Fuktkänslighetsnivå (MSL): | 1 (Unlimited) |
Tillverkarens normala ledtid: | 24 Weeks |
Tillverkarens varunummer: | SIS434DN-T1-GE3 |
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 1530pF @ 20V |
Gate Laddning (Qg) (Max) @ Vgs: | 40nC @ 10V |
FET-typ: | N-Channel |
FET-funktionen: | - |
Utvidgad beskrivning: | N-Channel 40V 35A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 |
Drivspänning (Max Rds På, Min Rds På): | 4.5V, 10V |
Avlopp till källspänning (Vdss): | 40V |
Beskrivning: | MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8 |
Ström - Kontinuerlig avlopp (Id) @ 25 ° C: | 35A (Tc) |
Email: | [email protected] |