SQD50N04-09H-GE3
SQD50N04-09H-GE3
Artikelnummer:
SQD50N04-09H-GE3
Tillverkare:
Vishay / Siliconix
Beskrivning:
MOSFET N-CH 40V 50A TO252
Ledningsfri status / RoHS-status:
Blyfri / RoHS-kompatibel
tillgänglig kvantitet:
16937 Pieces
Datablad:
SQD50N04-09H-GE3.pdf

Introduktion

BYCHIPS är strumpfördelaren för SQD50N04-09H-GE3, vi har lager för omedelbar frakt och även tillgänglig för lång tid leverans. Vänligen skicka oss din köpplan för SQD50N04-09H-GE3 via e-post, vi ger dig det bästa priset enligt din plan.
köpa SQD50N04-09H-GE3 med BYCHPS
Köp med garanti

Specifikationer

Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Teknologi:MOSFET (Metal Oxide)
Leverantörs Device Package:TO-252, (D-Pak)
Serier:TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:9 mOhm @ 20A, 10V
Effektdissipation (Max):83W (Tc)
Förpackning:Original-Reel®
Förpackning / fall:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andra namn:SQD50N04-09H-GE3DKR
Driftstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp:Surface Mount
Fuktkänslighetsnivå (MSL):1 (Unlimited)
Tillverkarens varunummer:SQD50N04-09H-GE3
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds:4240pF @ 25V
Gate Laddning (Qg) (Max) @ Vgs:76nC @ 10V
FET-typ:N-Channel
FET-funktionen:-
Utvidgad beskrivning:N-Channel 40V 50A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Drivspänning (Max Rds På, Min Rds På):10V
Avlopp till källspänning (Vdss):40V
Beskrivning:MOSFET N-CH 40V 50A TO252
Ström - Kontinuerlig avlopp (Id) @ 25 ° C:50A (Tc)
Email:[email protected]

Snabbsökcitation

Artikelnummer
Kvantitet
Företag
E-post
Telefon
kommentarer