köpa IPD65R950CFDBTMA1 med BYCHPS
Köp med garanti
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4.5V @ 200µA |
---|---|
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverantörs Device Package: | PG-TO252-3 |
Serier: | CoolMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 950 mOhm @ 1.5A, 10V |
Effektdissipation (Max): | 36.7W (Tc) |
Förpackning: | Tape & Reel (TR) |
Förpackning / fall: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Andra namn: | IPD65R950CFDBTMA1TR |
Driftstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Monteringstyp: | Surface Mount |
Fuktkänslighetsnivå (MSL): | 1 (Unlimited) |
Tillverkarens normala ledtid: | 16 Weeks |
Tillverkarens varunummer: | IPD65R950CFDBTMA1 |
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 380pF @ 100V |
Gate Laddning (Qg) (Max) @ Vgs: | 14.1nC @ 10V |
FET-typ: | N-Channel |
FET-funktionen: | - |
Utvidgad beskrivning: | N-Channel 650V 3.9A (Tc) 36.7W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
Avlopp till källspänning (Vdss): | 650V |
Beskrivning: | MOSFET N-CH 650V 3.9A TO-252 |
Ström - Kontinuerlig avlopp (Id) @ 25 ° C: | 3.9A (Tc) |
Email: | [email protected] |